半导体的发展与历史.docx

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半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。

1947年，贝尔实验室发明了半导体点接触晶体管，从而开创了人类硅文明时代。

1、1947年，贝尔实验室发明了半导体点接触晶体管，从而开创了人类硅文明时代。

2、很快，在1839年，贝克勒发现半导体和电解质接触形成的结在光照下会产生电压，这就是后来人们所知的光伏效应，这是所发现的半导体的第二个特性。

3、直到1947年12月，人类历史上第一个半导体点接触晶体管才在贝尔实验室诞生，从而开创了人类硅文明时代。

半导体技术主要是将半导体制成元件和集成电路。

4、其非常重要的发展趋势是降低成本和能耗，这就要求晶体管小型化和高集成度。

巴丁1908年出生于美国。

他少年时努力学习，16岁考上了大学。

他特别喜欢物理。

5、半导体是一种电导率介于绝缘体和导体之间的物质，其电导率容易控制，因此可以用作信息处理的元件材料。

半导体化学是在1948年晶体管发明后逐渐形成的。

6、它是一门交叉学科，涉及无机化学、有机化学、分析化学、物理化学、高分子化学、晶体化学、配位化学、放射化学等多个领域的理论和内容。

第三代碳化硅基功率器件不断涌现。

7、除了特斯拉和蔚来汽车在电动汽车上使用SiC-MOSFET外，SBD、HMET等也开发出了其他器件。

8、编号:时间:X，X，2021年学海无涯，苦作舟页码:第7页共7页半导体的历史1以前的生活。

虽然这些微小的集成电路芯片在我们的日常生活中不容易被发现，但它们却清晰地隐藏在我们的生活周围:我们使用的几乎所有电子相关产品和计算机相关元件都有这些半导体。

所以如果我们生活中缺少了这些小东西，可以说是非常不方便，经济发展也肯定会受到影响。

在1950年代贝尔实验室开发出最原始的半导体之前，当时的电子设备，比如收音机或者一些与图像相关的电子仪器，都是在控制系统中使用一个叫做真空管的部件。

这些使用真空管的电子仪器成为了在二战中发挥了非常重要作用的雷达、微波和导航系统的基石，彻底改变了历史的发展。

真空管也用于早期的计算机，甚至在半导体高度发达的近代社会，真空管也用于电视和大功率射频发射机。

2创新始于1947年，第二次世界大战刚刚结束，三个贝尔实验室的研究使世界上第一个双极晶体管问世，引领人类进入电子仪器和产品的新时代。

这三位科学家是杰克s基尔比、威廉姆肖克利和罗伯特诺伊斯。

杰克s基尔比1923年出生于美国堪萨斯州。

他的父亲是一名业余无线电操作员，由于父亲的工作性质，年轻的杰克对电子相关领域产生了浓厚的兴趣。

后来，随着兴趣的发展，他在伊利诺伊大学学习并于1947年毕业，然后于1958年进入德州仪器公司。

当他在德州仪器去世时，他解决了一个叫做“数字专制”的问题。

他用一小块锗连接到示波器上，按下开关。

结果示波器显示出连续的正弦波，证明他的集成电路真的在工作，同时也解决了问题。

他的第一个专利是“德国制造的固体电路”戴舜著名的便携式电子计算器和热敏打印机是他的60多项专利之一。

20世纪70年代至80年代中期，杰克在德克萨斯AM大学电气工程系任教。

不久后，他离开了德州仪器。

20XX年，他获得了科学界的最高荣誉诺贝尔向他发明的集成电路致敬。

五年后，这位伟大的科学家于20XX年因癌症去世。

威廉姆肖克利于1910年出生在伦敦。

虽然他出生在英国，但他的父母是美国人，他童年的大部分时间是在加利福尼亚度过的。

1936年，他获得了麻省理工学院的博士学位。

获得博士学位后，他在贝尔实验室工作，但在第二次世界大战期间，他继续参与无线电相关的研究，并离开贝尔实验室到哥伦比亚大学的反潜作战组。

他来到哥伦比亚大学的主要目的是提高一些与潜水相关的技术。

例如:改进涉及技术和优化深水炸弹模式。

二战后，肖克利回到贝尔实验室，并领导了一个新的团队:固态物理小组，其主要目标是寻找易碎的真空管信号增强器的固体替代品。

经过长期的努力和无数次的实验、尝试和失败，肖克利最后的建议是在P-N结上放一小滴gu。

然后在1947年12月，基于前面的建议，制造了点接触晶体管，可以达到和真空管一样的信号放大效果。

肖克利发表这项发明一个月后，贝尔实验室的专利组开始为这项创新发现申请专利。

最后，肖克利得到了经营自己独立公司的机会。

他说他创办的公司是:肖克利半导体实验室；虽然他最终因管理不当而失败，但他对半导体行业的贡献不容忽视。

1959年，肖克利与两位前同事巴丁和布拉顿一起获得了诺贝尔物理学奖。

肖克利晚年在斯坦福大学任教，后于1989年因前列腺癌去世。

h/罗伯特诺伊斯，也被称为“硅谷市长”，1927年出生于伯灵顿。

之后，他获得了麻省理工学院的物理学博士学位。

起初，他加入了肖克利的公司肖克利半导体实验室的研究团队。

但最终，他和被称为“卖国八人”(包括:朱利叶斯布兰克、维克多格里尼希、让赫尔尼、尤金克莱纳、杰伊拉斯特、戈登摩尔、罗伯特诺伊斯、谢尔登罗伯茨)的八位科学家一起离开了肖克利半导体实验室。

这八位科学家想离开肖克利，是因为他们认同他在法国的管理模式，最重要的是他们无法认同他对如何开展研究的态度。

肖克利会简单地用自己的期望引导研究方向，而不是让客观的实验结果和事实驱动研究方向。

起初，这八位科学家想找人代替肖克利，但都没有如愿以偿。

所以他们最终决定与飞兆相机和仪器公司签订研究合同，并成立了飞兆的子公司飞兆半导体。

飞兆半导体成为未来半导体行业最重要的公司之一，也对半导体行业造成了巨大的冲击。

另一家有影响力的半导体公司是德州仪器。

诺伊斯在飞兆半导体工作期间，他们发明了集成电路IC(由同一硅片上的许多晶体管蚀刻而成)。

1968年，Nayce离开了Fairchildsemiconductor，与同事GordonE.Moore一起组建了对未来计算机行业影响最大的英特尔公司。

当诺伊斯在英特尔工作时，他看到了特德霍夫在微处理器的发明和发现方面的潜力。

诺伊斯目睹了肖克利的失败，学会了如何让一个企业平稳运行和发展。

他会给年轻优秀的员工充分的发展空间和氛围，给他们自由发展的机会。

诺伊斯的管理风格对当时硅谷的工作风格影响很大。

为了纪念诺伊斯对该刊物的贡献，英特尔总部的大楼以他的荣耀命名:罗伯特诺伊斯大楼。

诺伊斯在1978年因其对硅集成电路的贡献获得“IEEE荣誉勋章”后于1990年去世。

的公共功能后来，它被他的两位同事巴丁和布拉坦改进了。

他们发现电子会在晶体表面形成势垒，这很可能是肖克利的模型无法工作的主要原因。

他们用金条包裹一个三角形的塑料片，然后一个三角形的塑料片与德国接触。

这个实验相当成功，也是最原始的点接触晶体管。

之后，肖克利利用他们的实验结果作为原型，努力开发了大约两年的时间，创造出了更实用、更容易制造的结型晶体管。

虽然肖克利的自主研发导致了他的团队解散，但也引领半导体行业进入了新的一代。

与今天高度发达的半导体工业相比，50年代制造的半导体效率相当有限。

造成这种限制的主要原因是早期的锗晶体管所能承受的电流相当低。

讽刺的是，推动当时半导体产业发展的正是二战。

美国政府对半导体产业相当感兴趣，主要是希望找到可以帮助战争的技术，然后国家政府全力支持半导体产业的发展。

最早记录在案的大规模生产军用半导体的计划是1956年由美国海军发起的北极星导弹计划。

本项目的主要目的是研制一种可以安装在朱导弹上的自动导航系统。

自动导航计算机是在麻省理工学院仪器实验室开发的。

当时使用最多的半导体是德州仪器提供的R212半导体，然后在50年代中期制造出了硅单晶，逐渐用硅取代了Ge的使用。

Ge的氧化物溶于水，使Ge半导体表面的保护更加困难，还可能造成系统漏电。

另一方面，硅的氧化物S相对稳定。

它不溶于水，也是绝缘体。

1959年，德州仪器开始商业化生产。

硅晶体管的制造方法是:将熔融硅(含杂质)生长成硅晶体，切割成长方形。

随着集成电路的发明，平面技术很快就因为瑞士物理学家让赫尔尼而发展出由硅构成的N、p结结构。

结之间有一层薄薄的S作为绝缘体。

在S层上有一个可以连接结的孔。

接下来金属挥发覆盖硅结，这样就可以利用s上的孔和连接来调整不同的规律，形成复杂的电路。

刨床技术是当今许多复杂电路的基础。

硅片在20世纪60年代开始出现。

1970年，英特尔开始慢慢意识到微处理器的概念。

英特尔开发了一种“硅门工艺”，这样他们就可以生产更复杂的电路。

个人电脑的概念在20世纪80年代和90年代开始流行。

主要原因是英特尔开发的奔腾处理器到90年代中期开发成功。

直到最近的20XX年，我们生活在一个以硅晶体为基础的世界，同时看着硅晶体技术的持续快速发展。

半导体的发现其实可以追溯到很久以前。

1833年，英国巴拉迪首次发现硫化银的电阻随温度而变化。

一般来说，金属的电阻随着温度的升高而增加，但巴拉迪这是第一次发现半导体现象。

没过多久，1839年，贝克勒尔发现半导体与电解质接触形成的结在光照下会产生电压，这就是后来人们所熟知的光伏效应，这是所发现的半导体的第二个特性。

1874年，布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即其导电性是有方向的，在其两端加一个直流电压就导电；电压极性反了就不导电，这是半导体的整流效应，也是半导体特有的第三个特性。

同年，舒斯特发现了铜和氧化铜的整流效应。

1873年，英国的Smith发现了硒晶体材料在光照下电导增大的光电导效应，这是半导体的另一个独特性质。

虽然半导体的这四种效应在1880年之前就被发现了，但是半导体这个术语是由Kauniberg和Weiss在1911年首次使用的。

并总结了半导体的这四个特性，直到。